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单晶硅太阳能电池背抛光技术研究
2013-10-24 15:05:16   来源:    点击:

  摘要:本文介绍了对单晶硅电池背抛光工艺作用和条件的研究。通过对不同化学溶液、不同温度和不同腐蚀时间条件对硅片表面反射率和电池电...
  摘要:本文介绍了对单晶硅电池背抛光工艺作用和条件的研究。通过对不同化学溶液、不同温度和不同腐蚀时间条件对硅片表面反射率和电池电学性能的影响,证实了背抛光在增加背面反射、提高电池与铝背场接触效果和加强背表面钝化方面的积极作用,并对背抛光工艺存在的问题和在新型电池开发中的应用进行了展望。

  关键词: 单晶硅;太阳能电池;背抛光

  中图分类号:TK514  文献标识码:A

  0引言

  太阳能发电作为二十一世纪经济发展中最具决定性影响的五个技术领域之一的新能源和可再生能源中的一种,由于其具有环保、高效、节能以及取之不尽、用之不竭等特点,已成为新能源中最受瞩目的能源。因此,着力加强对太阳能电池等光伏产业的研究开发,不断提高光电转换效率成为企业在今后激烈的市场竞争中取胜、不断推动光伏产业技术进步和更大规模推广应用的关键,晶体硅太阳能电池是目前光伏业的主流,为了提高企业在市场中竞争力,提高晶体硅太阳电池转换效率迫在眉睫。

  常规单晶硅太阳能电池由于陷光的需要,在表面采用化学方法织构绒面,增加了表面积,通过对光的对此反射/吸收降低反射率。但绒面的存在同时也产生了负面影响,绒面深凹的位置在与金属产生接触不良的现象。因此大家考虑对硅片背表面进行抛光,使硅片背表面更加光滑甚至达到镜面效果,背抛光后硅片的背面平整,一方面可以加强对透射光的反射减小透光率,另一方面可以使铝浆与硅片表面接触更加充分提高钝化效果。

  通过背表面抛光分别使电流密度Jsc和开路电压Uoc得到了提升,从而可以提高太阳能电池的转换效率,本文就是通过试验手段对此进行了验证。

  1 太阳能电池及工艺流程

  晶体硅太阳电池的基本结构如图1所示,基体材料为p型晶体硅,厚度在200μm左右;上表面为一层n+型的扩散区,与基体共同构成光生伏特效应的基本结构--pn结;


  通过对比截面的SEM图像,背面抛光电池与绒面状态电池的Al-Si截面没有明显差异,但是对比BSF合金层发现,前者的BSF平均宽度6.45μm,后者为6.33μm,从这一角度还是能够发现平坦的表面容易与金属浆料良好接触,形成的BSF层更厚更均匀,这是开路电压提升的主要来源。

  而电池的QE测试也可以发现明显的提升,尤其在900-1050nm的长波部分提升比较明显,这部分证实了抛光后的背反射作用对于增加长波吸收的贡献,也是短路电流Isc(或电流密度Jsc)增加的主要原因。

  3结论

  通过试验测定,确定了背面抛光最优的腐蚀条件,效率有0.10%以上的增益,且对于开路电压和短路电流的相对提升幅度基本相同,经过对电池截面SEM和QE的测量,证实了BSF厚度的增加和量子效率的提高是电池性能增益的主要原因,但在腐蚀至接近镜面状态时并不能表现出最高的电性优势,这一方面可能受硅片减薄和腐蚀缺陷的影响,需要继续研究,尤其是腐蚀量较大情况下对于未来更薄硅片的适用性就越差。

  另外,单晶硅电池背表面抛光技术,无需使用HNO3和H2SO4,比较环保,化学品耗用成本,抛光效果容易控制,结合有效的设备可以实现高产量、低成本、低污染运行,并且与Selective Emitter、LBSF、Double Printing、MWT等主流技术可叠加,兼容性好,可以进一步提高这些技术的电池性能,具有比较好的应用前景。

  参考文献

  [1] 刘恩科,朱秉升,罗晋升,等.半导体物理学[M]:第6版.北京:电子工业出版社,2006:151- 164.

  [2] 杜永超,陈伟平,刘汉英,等.太阳电池用硅表面钝化研究[J].电源技术,28(10): 641-643.

  [3] 管绍茂,王迅.半导体表面钝化技术及其应用[M].北京:国防工业出版社,1981:6-7.

  [4]  A Dastgheib-Shirazi,F Book et al.Proceeding of the 24th European Photovoltaic Solar Energy Conference Hamburg. Germany, 2009,1600

  [5] Shreesh Narasimha,Ajeet Rohatgi. An optimized rapid aluminum back surface field technique for silicon solar cell[J] IEEE Trans Electron Devices,1999,46:1363-1370.

  [6] Lee Ji Youn,Glunz S W. Investigation of various surface passivation schemes for silicon solar cell[J].Solar Energy Materials&Solar Cells,2006,90:82-92.

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