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中科院项目“等离子体浸没离子注入制备黑硅及太阳电池技
2013-10-24 14:34:29   来源:    点击:

  2013年10月12日,中科院前沿局组织专家在中科院嘉兴对微电子所承担的院知识创新工程重要方向项目“等离子体浸没离子注入制备黑硅及太阳...
  2013年10月12日,中科院前沿局组织专家在中科院嘉兴对微电子所承担的院知识创新工程重要方向项目“等离子体浸没离子注入制备黑硅及太阳电池技术研究”进行了现场验收。专家组由来自上海交通大学、中山大学、浙江大学、苏州纳米所等八家单位的专家组成。前沿局刘桂菊副局长、微电子所陈大鹏副所长、项目负责人夏洋研究员及项目组骨干等出席了会议,会议由前沿局技术科学处赵慧斌副处长主持。

  该项目创新性地采用等离子体浸没离子注入方法制备黑硅,制备的多晶硅片反射率低至1%(在可见光波段内),表面微观结构和反射率可控。通过系统研究,研制的多晶黑硅电池转换效率最高达18.3%。小批量试产表明工艺稳定。


验收会现场


  专家组认真听取了项目负责人的汇报,审阅了项目组提交的验收材料,经过充分讨论、质询和评议后,一致同意该项目通过验收,并对项目组取得的研究成果给予高度评价,认为该项目的完成将对现有晶硅太阳能电池生产线实现升级优化,提升我国太阳能电池装备领域的技术水平,将为我国光伏产业进一步发展、升级提供必要的技术积累,具有前瞻性和深远的战略意义。

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